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도시바, 업계 최초 2200V 듀얼 실리콘 카바이드 MOSFET 모듈 개발… 산업 장비 효율 증대 및 소형화 기여

Wed, 30 Aug 2023 10:55:00 +0900

TOKYO--(Business Wire / 뉴스와이어) 2023년 08월 30일 --  도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 이하 도시바)가 업계 최초[1]로 산업 장비용 2200V 듀얼 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 모듈 ‘MG250YD2YMS3’를 개발했다. 새로운 모듈은 드레인 전류(직류) 정격 250A에 자사의 3세대 SiC MOSFET 칩을 사용한다. 이 모듈은 DC1500V를 사용하는 태양광 발전 시스템 및 에너지 저장 시스템 등의 장비에 적합하며 오늘부터 대량 출하가 시작된다.
위에 언급한 산업 장비는 일반적으로 DC1000V 이하의 전력을 사용하며 전력 디바이스는 1200V 또는 1700V 제품이 대부분이다. 그러나 도시바는 향후 DC1500V 사용이 확대될 것으로 전망하며 업계 최초로 2200V 제품을 출시했다.
MG250YD2YMS3는 드레인-소스 온 전압(센싱)이 대푯값 0.7V[2] 정도로 낮아 전도 손실이 적다. 또한 턴 온 및 턴 오프 스위칭 손실도 각각 대푯값 14mJ[3]과 11mJ[3]로 일반적인 실리콘(Si) IGBT보다 약 90% 낮은 수치[4]를 보였다. 이러한 특성은 장비 효율을 높이는 데 도움을 준다. 또한 낮은 스위칭 손실을 현실화해 기존의 3레벨 회로를 2레벨 회로로 대체할 수 있게 함으로써 장비 소형화에도 기여할 수 있다.
도시바는 계속해서 산업 장비의 효율 증대 및 소형화에 관한 시장의 요구를 충족하는 데에 전념할 계획이다.
주:
[1] 듀얼 SiC MOSFET 모듈 중. 도시바 조사 2023년 8월 기준.
[2] 테스트 조건: ID=250A VGS=+20V Tch=25°C
[3] 테스트 조건: VDD=1100V ID=250A Tch=150°C
[4] 도시바가 수행한 2300V Si 모듈과 새로운 SiC MOSFET 모듈 MG250YD2YMS3 간의 스위칭 손실 비교 연구 2023년 8월 기준(2300V Si 모듈의 성능치는 2023년 3월 이전에 발표된 논문에 기반해 도시바가 추정한 값).
애플리케이션
산업 장비
- 재생 에너지 발전 시스템(태양광 발전 시스템 등)
- 에너지 저장 시스템
- 산업 장비용 모터 제어 장치
- 고주파 DC-DC 컨버터 등
특징
· 낮은 드레인-소스 온 전압(센싱):
VDS(on)sense=0.7V(대푯값)(ID=250A VGS=+20V Tch=25°C)
· 낮은 턴-온 스위칭 손실:
Eon=14mJ(대푯값)(VDD=1100V ID=250A Tch=150°C)
· 낮은 턴-오프 스위칭 손실:
Eoff=11mJ(대푯값)(VDD=1100V ID=250A Tch=150°C)
· 낮은 부유 인덕턴스:
LsPN=12nH(대푯값)
주요 사양
(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/3L371NN)
신제품에 대한 자세한 내용은 아래 링크에서 확인할 수 있다.
MG250YD2YMS3 https://bit.ly/47Ukph2
도시바 SiC 파워 디바이스 관련 추가 정보는 아래 링크에서 확인할 수 있다.
SiC 파워 디바이스 https://bit.ly/3u8vXM6
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* 본 문서에 기재된 제품 가격 및 사양 서비스 내용 

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